HN58V1001FP-20概述

EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32

HN58V1001FP-20规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	SOIC
包装说明	SOP, SOP32,.56
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	200 ns
命令用户界面	NO
数据轮询	YES
JESD-30 代码	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e0
长度	20.45 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP32,.56
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
页面大小	128 words
并行/串行	PARALLEL
电源	3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	3.05 mm
最大压摆率	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
切换位	YES

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HN58V1001FP-20相似产品对比

	HN58V1001FP-20	HN58V1001R-20	HN58V1001P-20	HN58V1001T-20
描述	EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32	EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDSO32, 8 X 14 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-32	EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32	EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDSO32, 8 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-32
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	SOIC	TSOP	DIP	TSOP
包装说明	SOP, SOP32,.56	TSOP1-R, TSSOP32,.56,20	DIP, DIP32,.6	TSOP1, TSSOP32,.56,20
针数	32	32	32	32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	200 ns	200 ns	200 ns	200 ns
命令用户界面	NO	NO	NO	NO
数据轮询	YES	YES	YES	YES
JESD-30 代码	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDIP-T32	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	20.45 mm	12.4 mm	41.9 mm	12.4 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	TSOP1-R	DIP	TSOP1
封装等效代码	SOP32,.56	TSSOP32,.56,20	DIP32,.6	TSSOP32,.56,20
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	IN-LINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小	128 words	128 words	128 words	128 words
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	3 V	3 V	3 V	3 V
编程电压	3 V	3 V	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
就绪/忙碌	YES	YES	YES	YES
座面最大高度	3.05 mm	1.2 mm	5.08 mm	1.2 mm
最大压摆率	0.025 mA	0.025 mA	0.025 mA	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING
端子节距	1.27 mm	0.5 mm	2.54 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
切换位	YES	YES	YES	YES
宽度	-	8 mm	15.24 mm	8 mm

推荐资源

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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