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BDB01DRLRF

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小79KB,共2页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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BDB01DRLRF概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

BDB01DRLRF规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
基于收集器的最大容量30 pF
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值2.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz
VCEsat-Max0.7 V
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