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RUM002N02

产品描述1.2V Drive Nch MOSFET
文件大小211KB,共5页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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RUM002N02概述

1.2V Drive Nch MOSFET

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1.2V Drive Nch MOSFET
RUM002N02
Structure
Silicon N-channel
MOSFET
Dimensions
(Unit : mm)
VMT3
Applications
Switching
Features
1) Fast switching speed.
2) Low voltage drive (1.2V) makes this
device ideal for portable equipment.
3) Drive circuits can be simple.
(1)Gate
(2)Souce
(3)Drain
Abbreviated symbol : QR
Inner circuit
(3)
Packaging specifications
Package
Type
Code
Basic ordering unit
(pieces)
RUM002N02
Taping
(1)
T2L
8000
∗1
(2)
∗1
ESD PROTECTION DIODE
∗2
BODY DIODE
∗2
(1) Gate
(2) Source
(3) Drain
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Continuous
Pulsed
Total power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
P
D
2
Tch
Tstg
Limits
20
±8
±200
±400
150
150
−55
to
+150
Unit
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
∗1
Pw≤10µs, Duty cycle≤1%
∗2
Each terminal mounted on a recommended land
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Each terminal mounted on a recommended land
Symbol
Rth(ch-a)
Limits
833
Unit
°C
/ W
www.rohm.com
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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