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RTR025N05

产品描述2.5V Drive Nch MOSFET
文件大小211KB,共5页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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RTR025N05概述

2.5V Drive Nch MOSFET

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2.5V Drive Nch MOSFET
RTR025N05
Structure
Silicon N-channel MOSFET
Dimensions
(Unit : mm)
TSMT3
1.0MAX
2.9
0.4
0.85
0.7
(1)
(2)
0.95 0.95
1.9
0.16
(1) Gate
(2) Source
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : PW
Application
Switching
(3) Drain
Packaging specifications
Package
Type
RTR025N05
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TL
3000
Inner circuit
(3)
∗2
(1)
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Source current
(Body diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
∗1
I
S
I
SP
∗1
P
D
∗2
Tch
Tstg
Limits
45
±12
±2.5
±10
0.8
10
1.0
150
−55
to
+150
Unit
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
∗1
(2)
∗1
ESD PROTECTION DIODE
∗2
BODY DIODE
(1) Gate
(2) Source
(3) Drain
Total power dissipation
Channel temperature
Range of Storage temperature
∗1
Pw≤10µs, Duty cycle≤1%
∗2
When mounted on a ceramic board
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
When mounted on a ceramic board
Symbol
Rth (ch-a)
Limits
125
Unit
°C
/ W
www.rohm.com
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/4
2009.06 - Rev.A
0.3~0.6
Features
1) Low On-resistance.
2) Built-in G-S Protection Diode.
3) Small Surface Mount Package (TSMT3).
(3)
1.6
2.8
0~0.1
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