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RTQ020N05

产品描述2.5V Drive Nch MOSFET
文件大小213KB,共5页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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RTQ020N05概述

2.5V Drive Nch MOSFET

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2.5V Drive Nch MOSFET
RTQ020N05
Structure
Silicon N-channel MOSFET
Dimensions
(Unit : mm)
TSMT6
1.0MAX
0.85
0.7
Features
1) Low On-resistance.
2) Space saving
small surface mount package (TSMT6).
3) Low voltage drive (2.5V drive).
1pin mark
2.9
1.9
0.95 0.95
(6)
(5)
(4)
1.6
2.8
0~0.1
(1)
(2)
(3)
0.4
0.16
Applications
Switching
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : PU
Packaging specifications
Package
Type
RTQ020N05
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TR
3000
Inner circuit
(6)
(5)
(4)
∗2
∗1
(1) Drain
(2) Drain
(3) Gate
(4) Source
(5) Drain
(6) Drain
(1)
(2)
(3)
∗1
ESD PROTECTION DIODE
∗2
BODY DIODE
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Source current
(Body diode)
Total power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
∗1
Pw≤10µs, Duty cycle≤1%
∗2
When mounted on a ceramic board
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
∗1
I
S
I
SP
∗1
P
D
∗2
Tch
Tstg
Limits
45
±12
±2
±8
1
8
1.25
150
−55
to
+150
Unit
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
When mounted on a ceramic board
Symbol
Rth(ch-a)
Limits
100
Unit
°C/W
www.rohm.com
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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