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RB050L-60

产品描述2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小322KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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RB050L-60概述

2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE

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Schottky barrier diode
RB050L-60
Applications
General rectification
Dimensions (Unit : mm)
Land size figure (Unit : mm)
2.0
2.0
2.6±0.2
Features
1)Small power mold type. (PMDS)
2)Low I
R
3)High reliability
0.1±0.02
    0.1
5.0±0.3
4
3
4.5±0.2
1.2±0.3
PMDS
1.5±0.2
2.0±0.2
Structure
ROHM : PMDS
JEDEC : SOD-106
2
Manufacture Date
Construction
Silicon epitaxial planar
Taping specifications (Unit : mm)
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.05
1.75±0.1
0.3
5.5±0.05
φ1.55
2.9±0.1
4.0±0.1
2.8MAX
Limits
Symbol
V
RM
Reverse voltage (repetitive)
60
V
R
Reverse voltage (DC)
60
Average rectified forward current (*1)
3
Io
Average rectified forward current (*2)
2
Io
I
FSM
Forward current surge peak (60Hz・1cyc)
70
Junction temperature
150
Tj
Storage temperature
-40to+150
Tstg
(*1) On the Glass epoxy substrate, half sine wave at 180°Tc=69°C MAX
(*2) On the Glass epoxy substrate, half sine wave at 180°
Electrical characteristics (Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Forward voltage
Reverse current
V
F
1
V
F
2
I
R
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Unit
V
V
A
A
A
°C
°C
Min.
-
-
-
Typ.
-
-
-
Max.
0.52
0.56
100
Unit
V
V
µA
Conditions
I
F
=2.0A
I
F
=3.0A
V
R
=60V
www.rohm.com
©2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
5.3±0.1
0.05
 
9.5±0.1
12±0.2
1/3
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