Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3P, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Fairchild |
零件包装代码 | TO-3P |
包装说明 | TO-3P, 3 PIN |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
最大集电极电流 (IC) | 10 A |
集电极-发射极最大电压 | 500 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 20 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 90 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 18 MHz |
KSC5024OTU | KSC5024YTU | |
---|---|---|
描述 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3P, 3 PIN | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3P, 3 PIN |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Fairchild | Fairchild |
零件包装代码 | TO-3P | TO-3P |
包装说明 | TO-3P, 3 PIN | TO-3P, 3 PIN |
针数 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
其他特性 | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
最大集电极电流 (IC) | 10 A | 10 A |
集电极-发射极最大电压 | 500 V | 500 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 20 | 30 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 90 W | 90 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 18 MHz | 18 MHz |
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