电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

AM29LV033C90WDE

产品描述4MX8 FLASH 3V PROM, 90ns, PBGA63, 8 X 14 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-63
产品类别存储    存储   
文件大小988KB,共47页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

AM29LV033C90WDE概述

4MX8 FLASH 3V PROM, 90ns, PBGA63, 8 X 14 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-63

AM29LV033C90WDE规格参数

参数名称属性值
厂商名称AMD(超微)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数63
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间90 ns
其他特性MINIMUM 1000K WRITE CYCLES; 20 YEAR DATA RETENTION
JESD-30 代码R-PBGA-B63
长度14 mm
内存密度33554432 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量63
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织4MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度8 mm

AM29LV033C90WDE相似产品对比

AM29LV033C90WDE AM29LV033C120EE AM29LV033C90WDI AM29LV033C70EI AM29LV033C120WDE AM29LV033C70FI AM29LV033C90FI AM29LV033C70WDI AM29LV033C120EI
描述 4MX8 FLASH 3V PROM, 90ns, PBGA63, 8 X 14 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-63 4MX8 FLASH 3V PROM, 120ns, PDSO40, TSOP-40 4MX8 FLASH 3V PROM, 90ns, PBGA63, 8 X 14 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-63 4MX8 FLASH 3V PROM, 70ns, PDSO40, TSOP-40 4MX8 FLASH 3V PROM, 120ns, PBGA63, 8 X 14 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-63 4MX8 FLASH 3V PROM, 70ns, PDSO40, REVERSE, TSOP-40 4MX8 FLASH 3V PROM, 90ns, PDSO40, REVERSE, TSOP-40 4MX8 FLASH 3V PROM, 70ns, PBGA63, 8 X 14 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-63 4MX8 FLASH 3V PROM, 120ns, PDSO40, TSOP-40
零件包装代码 BGA TSOP BGA TSOP BGA TSOP TSOP BGA TSOP
包装说明 TFBGA, TSOP-40 TFBGA, TSOP-40 TFBGA, TSOP1-R, REVERSE, TSOP-40 TFBGA, TSOP-40
针数 63 40 63 40 63 40 40 63 40
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 90 ns 120 ns 90 ns 70 ns 120 ns 70 ns 90 ns 70 ns 120 ns
JESD-30 代码 R-PBGA-B63 R-PDSO-G40 R-PBGA-B63 R-PDSO-G40 R-PBGA-B63 R-PDSO-G40 R-PDSO-G40 R-PBGA-B63 R-PDSO-G40
长度 14 mm 18.4 mm 14 mm 18.4 mm 14 mm 18.4 mm 18.4 mm 14 mm 18.4 mm
内存密度 33554432 bit 33554432 bit 33554432 bit 33554432 bit 33554432 bit 33554432 bit 33554432 bit 33554432 bit 33554432 bit
内存集成电路类型 FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 63 40 63 40 63 40 40 63 40
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 85 °C 85 °C 125 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -40 °C -40 °C -55 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 4MX8 4MX8 4MX8 4MX8 4MX8 4MX8 4MX8 4MX8 4MX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TSOP1 TFBGA TSOP1 TFBGA TSOP1-R TSOP1-R TFBGA TSOP1
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
编程电压 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY INDUSTRIAL INDUSTRIAL MILITARY INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL GULL WING BALL GULL WING BALL GULL WING GULL WING BALL GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.5 mm 0.8 mm 0.5 mm 0.8 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.8 mm 0.5 mm
端子位置 BOTTOM DUAL BOTTOM DUAL BOTTOM DUAL DUAL BOTTOM DUAL
宽度 8 mm 10 mm 8 mm 10 mm 8 mm 10 mm 10 mm 8 mm 10 mm
厂商名称 AMD(超微) - AMD(超微) - - - AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微)
其他特性 MINIMUM 1000K WRITE CYCLES; 20 YEAR DATA RETENTION MINIMUM 1000K WRITE CYCLES; 20 YEAR DATA RETENTION MINIMUM 1000K WRITE CYCLES; 20 YEAR DATA RETENTION - MINIMUM 1000K WRITE CYCLES; 20 YEAR DATA RETENTION - MINIMUM 1000K WRITE CYCLES; 20 YEAR DATA RETENTION - MINIMUM 1000K WRITE CYCLES; 20 YEAR DATA RETENTION
Base Number Matches - 1 1 1 1 1 1 1 -

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 251  324  349  376  1003 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved