MT5C1009CW-85L883C,MT5C1009CW-85L883C pdf中文资料,MT5C1009CW-85L883C引脚图,MT5C1009CW-85L883C电路-Datasheet-电子工程世界

MT5C1009CW-85L883C: 产品描述Standard SRAM, 128KX8, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32; 产品类别存储存储; 文件大小194KB，共17页; 制造商Micross; 官网地址https://www.micross.com

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MT5C1009CW-85L883C概述

Standard SRAM, 128KX8, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Micross
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP,
针数	32
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C
其他特性	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACKUP; LOW POWER STANDBY
JESD-30 代码	R-CDIP-T32
JESD-609代码	e0
长度	40.64 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	128KX8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class C
座面最大高度	4.3434 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm

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