GS881E36BD-200T,GS881E36BD-200T pdf中文资料,GS881E36BD-200T引脚图,GS881E36BD-200T电路-Datasheet-电子工程世界

GS881E36BD-200T: 产品描述Cache SRAM, 256KX36, 6.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共39页; 制造商GSI Technology; 官网地址http://www.gsitechnology.com/

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GS881E36BD-200T概述

Cache SRAM, 256KX36, 6.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	GSI Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	LBGA,
针数	165
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	6.5 ns
其他特性	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e0
长度	15 mm
内存密度	9437184 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	165
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	13 mm

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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