Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, 4 Pin, TO-114, 4 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | PowerTech Inc |
| 零件包装代码 | TO-114 |
| 包装说明 | TO-114, 4 PIN |
| 针数 | 4 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 100 A |
| 基于收集器的最大容量 | 1800 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 100 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 5 |
| JEDEC-95代码 | TO-114 |
| JESD-30 代码 | O-MUPM-X4 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | POST/STUD MOUNT |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 功耗环境最大值 | 350 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 350 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 1 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 5500 ns |
| VCEsat-Max | 2 V |
| PT-702 | PT-700 | |
|---|---|---|
| 描述 | Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, 4 Pin, TO-114, 4 PIN | Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, 4 Pin, TO-114, 4 PIN |
| 厂商名称 | PowerTech Inc | PowerTech Inc |
| 零件包装代码 | TO-114 | TO-114 |
| 包装说明 | TO-114, 4 PIN | TO-114, 4 PIN |
| 针数 | 4 | 4 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 100 A | 100 A |
| 基于收集器的最大容量 | 1800 pF | 1800 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 100 V | 150 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 5 | 5 |
| JEDEC-95代码 | TO-114 | TO-114 |
| JESD-30 代码 | O-MUPM-X4 | O-MUPM-X4 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 4 | 4 |
| 最高工作温度 | 200 °C | 200 °C |
| 封装主体材料 | METAL | METAL |
| 封装形状 | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | POST/STUD MOUNT | POST/STUD MOUNT |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN |
| 功耗环境最大值 | 350 W | 350 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 350 W | 350 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子形式 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER | UPPER |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 1 MHz | 1 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 5500 ns | 5500 ns |
| VCEsat-Max | 2 V | 2 V |
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