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MMBZ5264C-V-G-08

产品描述DIODE 60 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, GREEN PACKAGE-3, Voltage Regulator Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小83KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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MMBZ5264C-V-G-08概述

DIODE 60 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, GREEN PACKAGE-3, Voltage Regulator Diode

MMBZ5264C-V-G-08规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
包装说明R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗170 Ω
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.225 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压60 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
最大电压容差2%
工作测试电流2.1 mA

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MMBZ5225-V-G to MMBZ5267-V-G
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Small Signal Zener Diodes
FEATURES
• Silicon planar power Zener diodes.
3
• Standard Zener voltage tolerance is ± 5 % with
a “B” suffix (e.g.: MMBZ5225B-V-G), suffix “C”
is ± 2 % tolerance
1
2
• High temperature soldering guaranteed:
260 °C/4 x 10 s at terminals
• AEC-Q101 qualified
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
PRIMARY CHARACTERISTICS
PARAMETER
V
Z
range nom.
Test current I
ZT
V
Z
specification
Int. construction
VALUE
3 to 75
1.7 to 20
Thermal equilibrium
Single
UNIT
V
mA
Note
**
Please see document “Vishay Material Category Policy”:
www.vishay.com/doc?99902
ORDERING INFORMATION
DEVICE NAME
MMBZ5225-V-G to MMBZ5267-V-G
MMBZ5225-V-G to MMBZ5267-V-G
ORDERING CODE
MMBZ5225-V-G to
MMBZ5267-V-Gseries-18
MMBZ5225-V to
MMBZ5267-V-G-series-08
TAPED UNITS PER REEL
10 000 (8 mm tape on 13"
reel)
3000 (8 mm tape on 7" reel)
MINIMUM ORDER
QUANTITY
10 000/box
15 000/box
PACKAGE
PACKAGE NAME
SOT-23
WEIGHT
8.1 mg
MOLDING COMPOUND MOISTURE SENSITIVITY
FLAMMABILITY RATING
LEVEL
UL 94 V-0
MSL level 1
(according J-STD-020)
SOLDERING
CONDITIONS
260 °C/10 s at terminals
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Power dissipation
Zener current
Junction to ambient air
Junction temperature, maximum
Storage temperature range
TEST CONDITION
On FR - 5 board using recommended solder pad
layout
On alumina substrate
See table “Caharacteristics”
On FR - 5 board using recommended solder pad
layout
R
thJA
T
j
T
stg
556
150
- 65 to + 175
K/W
°C
°C
SYMBOL
P
tot
P
tot
VALUE
225
300
UNIT
mW
mW
Rev. 1.2, 24-Nov-11
Document Number: 85183
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
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