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MBRS15100CTC0

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 7.5A, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小218KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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MBRS15100CTC0概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 7.5A, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

MBRS15100CTC0规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明D2PAK-3/2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.92 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流7.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流100 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层PURE TIN
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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MBRS1535CT thru MBRS15150CT
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
- Low power loss, high efficiency
- Ideal for automated placement
- Guardring for overvoltage protection
- High surge current capability
- Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Dual Common Cathode Schottky Rectifier
MECHANICAL DATA
Case:
TO-263AB (D
2
PAK)
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free
Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
As marked
Weight:
1.37 g (approximately)
TO-263AB (D
2
PAK)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
MBRS MBRS MBRS MBRS MBRS MBRS MBRS
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak repetitive forward current
(Rated VR, Square wave, 20KHz)
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Peak repetitive reverse surge current (Note 1)
Maximum instantaneous forward voltage (Note 2)
I
F
= 7.5 A, T
J
=25℃
I
F
= 7.5 A, T
J
=125℃
I
F
= 15 A, T
J
=25℃
I
F
= 15 A, T
J
=125℃
Maximum reverse current @ rated VR
Voltage rate of change (Rated V
R
)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: tp = 2.0
μs,
1.0KHz
Note 2: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
T
J
=25
T
J
=125
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FRM
I
FSM
I
RRM
1
-
V
F
0.57
0.84
0.72
I
R
dV/dt
R
θjC
R
θjA
T
J
T
STG
15
0.75
0.65
-
-
0.1
10
10000
2
50
- 55 to +150
- 55 to +150
5
1535
CT
35
24
35
1545
CT
45
31
45
1550
CT
50
35
50
1560
CT
60
42
60
15
15
150
0.5
0.92
0.82
-
-
0.95
0.92
-
-
mA
V/μs
O
1590
CT
90
63
90
15100 15150
CT
100
70
100
CT
150
105
150
Unit
V
V
V
A
A
A
A
V
C/W
O
O
C
C
Document Number: DS_D1309060
Version: J13
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