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MBRF30100CT-YC0G

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小228KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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MBRF30100CT-YC0G概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN

MBRF30100CT-YC0G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明ITO-220AB, 3 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.94 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流200 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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MBRF3045CT-Y thru MBRF30200CT-Y
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
- Low power loss, high efficiency
- Guardring for overvoltage protection
- High surge current capability
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Dual Common Cathode Schottky Rectifier
MECHANICAL DATA
Case:
ITO-220AB
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
As marked
Mounting torque:
0.56 Nm max.
Weight:
1.7 g (approximately)
ITO-220AB
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
MBRF
PARAMETER
SYMBOL
3045
CT-Y
Marking code
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak repetitive forward current
(Rated VR, Square wave, 20KHz)
Peak forward surge current, 8.3 ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Peak repetitive reverse surge current (Note 1)
Maximum instantaneous forward voltage (Note 2)
I
F
=15A, T
J
=25°C
I
F
=15A, T
J
=125°C
I
F
=30A, T
J
=25°C
I
F
=30A, T
J
=125°C
Maximum reverse current @ rated VR
Voltage rate of change (Rated V
R
)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: tp = 2.0
μs,
1.0KHz
Note 2: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
T
J
=25 °C
T
J
=125 °C
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FRM
I
FSM
I
RRM
0.70
V
F
0.60
0.82
0.73
I
R
dV/dt
R
θJC
T
J
T
STG
40
1
0.78
0.68
0.90
0.78
15
10000
4
- 55 to +150
- 55 to +150
0.85
0.72
0.94
0.82
0.2
10
MBRF
3045CT
45
31
45
MBRF
3060
CT-Y
MBRF
3060CT
60
42
60
MBRF
3080
CT-Y
MBRF
3080CT
80
56
80
30
30
200
0.5
0.95
0.80
1.05
0.92
mA
V/μs
°C/W
°C
°C
V
MBRF
30100
CT-Y
MBRF
30100CT
100
70
100
MBRF
30150
CT-Y
MBRF
30150CT
150
105
150
MBRF
30200
CT-Y
MBRF
30200CT
200
140
200
V
V
V
A
A
A
A
UNIT
Document Number: DS_D1411035
Version: D14

MBRF30100CT-YC0G相似产品对比

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描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 ITO-220AB, 3 PIN ITO-220AB, 3 PIN R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 ITO-220AB, 3 PIN ITO-220AB, 3 PIN ITO-220AB, 3 PIN
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS
应用 EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.94 V 1.05 V 1.05 V 0.82 V 0.82 V 0.9 V 0.9 V
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3
最大非重复峰值正向电流 200 A 200 A 200 A 200 A 200 A 200 A 200 A
元件数量 2 2 2 2 2 2 2
相数 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 15 A 15 A 15 A 15 A 15 A 15 A 15 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 100 V 200 V 200 V 45 V 45 V 60 V 60 V
最大反向电流 200 µA 200 µA 200 µA 200 µA 200 µA 200 µA 200 µA
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 30 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 Taiwan Semiconductor - - Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
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