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HB52F648EN-75B: 产品描述Synchronous DRAM Module, 64MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-168; 产品类别存储存储; 文件大小123KB，共29页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HB52F648EN-75B概述

Synchronous DRAM Module, 64MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-168

HB52F648EN-75B规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168
针数	168
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168
内存密度	4294967296 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	168
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	65 °C
最低工作温度
组织	64MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大待机电流	0.036 A
最大压摆率	2.25 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL

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HB52F648EN-75B,

HB52F649EN-75B

512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 133 MHz Memory Bus

(HB52F648EN) 64-Mword

64-bit, 2-Bank Module

(16 pcs of 32 M

8 Components)

(HB52F649EN) 64-Mword

72-bit, 2-Bank Module

(18 pcs of 32 M

8 Components)

PC133 SDRAM

ADE-203-1115A (Z)

Preliminary

Rev. 0.1

Nov. 26, 1999

Description

The HB52F648EN, HB52F649EN belong to 8-byte DIMM (Dual In-line Memory Module) family, and

have been developed as an optimized main memory solution for 8-byte processor applications. They are

synchronous Dynamic RAM Module, mounted 256-Mbit SDRAMs (HM5225805BTT) sealed in TSOP

package, and 1 piece of serial EEPROM (2-kbit) for Presence Detect (PD). The HB52F648EN is organized

32M

2-bank mounted 16 pieces of 256-Mbit SDRAM. The HB52F649EN is organized 32M

2-bank mounted 18 pieces of 256-Mbit SDRAM. An outline of the products is 168-pin socket type

package (dual lead out). Therefore, they make high density mounting possible without surface mount

technology. They provide common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beside

each TSOP on the module board.

Features

•

Fully compatible with : JEDEC standard outline 8-byte DIMM

•

168-pin socket type package (dual lead out)



Outline: 133.37 mm (Length)

34.925 mm (Height)

4.00 mm (Thickness)



Lead pitch: 1.27 mm

•

3.3 V power supply

•

Clock frequency: 133 MHz (max)

•

LVTTL interface

Preliminary: The specification of this device are subject to change without notice. Please contact your

nearest Hitachi’s Sales Dept. regarding specification.

HB52F648EN-75B相似产品对比

	HB52F648EN-75B	HB52F649EN-75B
描述	Synchronous DRAM Module, 64MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-168	Synchronous DRAM Module, 64MX72, 5.4ns, CMOS, DIMM-168
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168
针数	168	168
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168
内存密度	4294967296 bit	4831838208 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64	72
功能数量	1	1
端口数量	1	1
端子数量	168	168
字数	67108864 words	67108864 words
字数代码	64000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	65 °C	65 °C
组织	64MX64	64MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM168	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192
自我刷新	YES	YES
最大待机电流	0.036 A	0.036 A
最大压摆率	2.25 mA	2.25 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL

HB52F648EN-75B

HB52F648EN-75B概述

HB52F648EN-75B规格参数

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