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HM621100AJP-35

产品描述Cache SRAM, 1MX1, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
产品类别存储    存储   
文件大小87KB,共19页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM621100AJP-35概述

Cache SRAM, 1MX1, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28

HM621100AJP-35规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ28,.44
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDSO-J28
长度18.17 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX1
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ28,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.76 mm
最大待机电流0.002 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
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