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HYB3117400BTL-50

产品描述Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO40
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文件大小736KB,共26页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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HYB3117400BTL-50概述

Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO40

HYB3117400BTL-50规格参数

参数名称属性值
厂商名称SIEMENS
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间50 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G40
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量40
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

HYB3117400BTL-50相似产品对比

HYB3117400BTL-50 HYB3117400BTL-60
描述 Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO40 Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO40
厂商名称 SIEMENS SIEMENS
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 50 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-G40 R-PDSO-G40
内存密度 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM
内存宽度 4 4
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 40 40
字数 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 4MX4 4MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 2048 2048
自我刷新 YES YES
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
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