Rambus DRAM, 8MX16, 53ns, CMOS, PBGA62, FBGA-62
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | TBGA, BGA62,12X9,40/32 |
针数 | 62 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | BLOCK ORIENTED PROTOCOL |
最长访问时间 | 53 ns |
其他特性 | SELF CONTAINED REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 600 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B62 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 11 mm |
内存密度 | 134217728 bit |
内存集成电路类型 | RAMBUS DRAM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 62 |
字数 | 8388608 words |
字数代码 | 8000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
组织 | 8MX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TBGA |
封装等效代码 | BGA62,12X9,40/32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 1.8/2.5,2.5 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 16384 |
座面最大高度 | 1.05 mm |
自我刷新 | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 2.63 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.37 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 10.5 mm |
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