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BR34L02FV-W

产品描述256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8
产品类别存储   
文件大小444KB,共18页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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BR34L02FV-W概述

256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8

256 × 8 I2C/2-线 串行 电可擦除只读存储器, PDSO8

BR34L02FV-W规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量8
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压5.5 V
最小供电/工作电压1.7 V
额定供电电压1.8 V
最大时钟频率0.1000 MHz
加工封装描述ROHS COMPLIANT, SSOP-8
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
工艺CMOS
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子间距0.6500 mm
端子涂层TIN COPPER
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
温度等级INDUSTRIAL
内存宽度8
组织256 X 8
存储密度2048 deg
操作模式SYNCHRONOUS
位数256 words
位数256
内存IC类型I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM
串行并行SERIAL
写周期最大TWC5 ms

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Double-cell Memory for Plug & Play
DDR1/DDR2
(For memory module) SPD Memory
BR34L02FV-W
●Description
BR34L02FV-W is 256×8 bit Electrically Erasable PROM (Based on Serial Presence Detect)
●Features
1) 256×8 bit architecture serial EEPROM
2) Wide operating voltage range: 1.7V-5.5V
3) Two-wire serial interface
4) High reliability connection using Au pads and Au wires
5) Self-Timed Erase and Write Cycle
6) Page Write Function (16byte)
7) Write Protect Mode
Write Protect 1 (Onetime Rom)
: 00h-7Fh
Write Protect 2 (Hardwire WP PIN) : 00h-FFh
8) Low Power consumption
Write
( at 5V ) :1.2mA (typ.)
Read
( at 5V ) :0.2mA(typ.)
Standby ( at 5V ) :0.1µA(typ.)
9) DATA security
Write protect feature (WP pin)
Inhibit to WRITE at low V
CC
10) Compact package: SSOP-B8
11) High reliability fine pattern CMOS technology
12) Rewriting possible up to 1,000,000 times
13) Data retention: 40 years
14) Noise reduction Filtered inputs in SCL / SDA
15) Initial data FFh at all addresses
●Absolute
Maximum Ratings (Ta=25℃)
Parameter
Symbol
Supply Voltage
V
CC
Power Dissipation
Pd
Storage Temperature
Tstg
Operating Temperature
Topr
Terminal Voltage
-
* Reduce by 3.0 mW/C over 25C
No.09002EAT04
Rating
-0.3½+6.5
300*
-65½+125
-40½+85
-0.3½V
CC
+0.3
Unit
V
mW
V
●Recommended
operating conditions
Parameter
Symbol
Supply Voltage
V
CC
Input Voltage
VIN
Rating
1.7½5.5
0½V
CC
Unit
V
V
●Memory
cell characteristics(Ta=25℃, V
CC
=1.7V½5.5V)
Specification
Parameter
Min.
Typ.
Write / Erase Cycle
Data Retention
*1:Not 100% TESTED
*1
*1
Max.
-
-
Unit
Cycles
Years
1,000,000
40
-
-
www.rohm.com
© 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/17
2009.04 - Rev.A

BR34L02FV-W相似产品对比

BR34L02FV-W BR34L02FV-W_09
描述 256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8 256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8
功能数量 1 1
端子数量 8 8
最大工作温度 85 Cel 85 Cel
最小工作温度 -40 Cel -40 Cel
最大供电/工作电压 5.5 V 5.5 V
最小供电/工作电压 1.7 V 1.7 V
额定供电电压 1.8 V 1.8 V
最大时钟频率 0.1000 MHz 0.1000 MHz
加工封装描述 ROHS COMPLIANT, SSOP-8 ROHS COMPLIANT, SSOP-8
无铅 Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes
状态 ACTIVE ACTIVE
工艺 CMOS CMOS
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
表面贴装 Yes Yes
端子形式 GULL WING GULL WING
端子间距 0.6500 mm 0.6500 mm
端子涂层 TIN COPPER TIN COPPER
端子位置 DUAL DUAL
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
内存宽度 8 8
组织 256 X 8 256 X 8
存储密度 2048 deg 2048 deg
操作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
内存IC类型 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM
串行并行 SERIAL SERIAL
写周期最大TWC 5 ms 5 ms
位数 256 256

 
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