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IS61LV12816LL-12LQI

产品描述Standard SRAM, 128KX16, 12ns, CMOS, PQFP44, MS-026, LQFP-44
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文件大小107KB,共16页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS61LV12816LL-12LQI概述

Standard SRAM, 128KX16, 12ns, CMOS, PQFP44, MS-026, LQFP-44

IS61LV12816LL-12LQI规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码QFP
包装说明MS-026, LQFP-44
针数44
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间12 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQFP-G44
JESD-609代码e0
长度10 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量44
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP44,.47SQ,32
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.0009 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)3.63 V
最小供电电压 (Vsup)2.97 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度10 mm

IS61LV12816LL-12LQI相似产品对比

IS61LV12816LL-12LQI IS61LV12816LL-12TI
描述 Standard SRAM, 128KX16, 12ns, CMOS, PQFP44, MS-026, LQFP-44 Standard SRAM, 128KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码 QFP TSOP2
包装说明 MS-026, LQFP-44 PLASTIC, TSOP2-44
针数 44 44
Reach Compliance Code unknown compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 12 ns 12 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 S-PQFP-G44 R-PDSO-G44
JESD-609代码 e0 e0
长度 10 mm 18.415 mm
内存密度 2097152 bit 2097152 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 16 16
湿度敏感等级 3 3
功能数量 1 1
端子数量 44 44
字数 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 128KX16 128KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP TSOP2
封装等效代码 QFP44,.47SQ,32 TSOP44,.46,32
封装形状 SQUARE RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 240 NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 1.2 mm
最大待机电流 0.0009 A 0.0009 A
最小待机电流 2 V 2 V
最大压摆率 0.045 mA 0.045 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.63 V 3.63 V
最小供电电压 (Vsup) 2.97 V 2.97 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 QUAD DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 NOT SPECIFIED
宽度 10 mm 10.16 mm
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