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HGT1S3N60C3DR

产品描述6A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-262AA, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小419KB,共11页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HGT1S3N60C3DR概述

6A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-262AA, PLASTIC PACKAGE-3

HGT1S3N60C3DR规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码TO-262AA
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW CONDUCTION LOSS, HYPER FAST RECOVERY
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)6 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)325 ns
标称接通时间 (ton)5 ns

HGT1S3N60C3DR相似产品对比

HGT1S3N60C3DR HGTP3N60C3DR
描述 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-262AA, PLASTIC PACKAGE-3 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码 TO-262AA TO-220AB
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 LOW CONDUCTION LOSS, HYPER FAST RECOVERY LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 6 A 6 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码 TO-262AA TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 325 ns 455 ns
标称接通时间 (ton) 5 ns 15 ns
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