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HGTD3N60C3S

产品描述6A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA, TO-252AA, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小919KB,共10页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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HGTD3N60C3S概述

6A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA, TO-252AA, 3 PIN

HGTD3N60C3S规格参数

参数名称属性值
厂商名称Rochester Electronics
零件包装代码TO-252AA
包装说明TO-252AA, 3 PIN
针数4
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)6 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态COMMERCIAL
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)455 ns
标称接通时间 (ton)15 ns

HGTD3N60C3S相似产品对比

HGTD3N60C3S HGTD3N60C3
描述 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA, TO-252AA, 3 PIN 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-251AA
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 LOW CONDUCTION LOSS LOW CONDUCTION LOSS, ULTRA FAST SWITCHING
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 6 A 6 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V
配置 SINGLE SINGLE
JEDEC-95代码 TO-252AA TO-251AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3
元件数量 1 1
端子数量 2 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL
表面贴装 YES NO
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 455 ns 325 ns
标称接通时间 (ton) 15 ns 5 ns

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