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HM5257805BTD-75

产品描述Synchronous DRAM, 64MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
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文件大小692KB,共62页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM5257805BTD-75概述

Synchronous DRAM, 64MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54

HM5257805BTD-75规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2,
针数54
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G54
长度22.22 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度60 °C
最低工作温度
组织64MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

HM5257805BTD-75相似产品对比

HM5257805BTD-75 HM5257405BTD-75 HM5257405BTD-A6 HM5257165BTD-A6 HM5257165BTD-75 HM5257805BTD-A6
描述 Synchronous DRAM, 64MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 128MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 128MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 64MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
零件包装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2
包装说明 TSOP2, TSOP2, TSOP2, TSOP2, TSOP2, TSOP2,
针数 54 54 54 54 54 54
Reach Compliance Code unknown unknow unknow unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 5.4 ns 5.4 ns 6 ns 6 ns 5.4 ns 6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54
长度 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm
内存密度 536870912 bit 536870912 bi 536870912 bi 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 8 4 4 16 16 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 54 54 54 54 54 54
字数 67108864 words 134217728 words 134217728 words 33554432 words 33554432 words 67108864 words
字数代码 64000000 128000000 128000000 32000000 32000000 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 60 °C 60 °C 60 °C 60 °C 60 °C 60 °C
组织 64MX8 128MX4 128MX4 32MX16 32MX16 64MX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
Base Number Matches - 1 1 1 1 -

 
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