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HM5117805TS-7: 产品描述EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-28; 产品类别存储存储; 文件大小466KB，共31页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HM5117805TS-7概述

EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-28

HM5117805TS-7规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	TSOP
包装说明	TSOP2, TSOP28,.34
针数	28
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	70 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G28
JESD-609代码	e0
长度	18.41 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	28
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP28,.34
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	2048
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	NO
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm

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HM5117805 Series

2,097,152-word

8-bit Dynamic RAM

ADE-203-630 C (Z)

Rev. 3.0

Feb. 25, 1997

Description

The Hitachi HM5117805 is a CMOS dynamic RAM organized 2,097,152-word

8-bit. It employs the

most advanced CMOS technology for high performance and low power. The HM5117805 offers Extended

Data Out (EDO) Page Mode as a high speed access mode. Multiplexed address input permits the

HM5117805 to be packaged in standard 28-pin plastic SOJ and 28-pin TSOP.

Features

•

Single 5 V (±10%)

Access time: 50 ns/60 ns/70 ns (max)

Power dissipation



Active mode: 605 mW/550 mW/495 mW (max)



Standby mode : 11 mW (max)

: 0.83 mW (max) (L-version)

EDO page mode capability

Long refresh period



2048 refresh cycles : 32 ms

: 128 ms (L-version)

4 variations of refresh



RAS-only

refresh



CAS-before-RAS

refresh



Hidden refresh



Self refresh (L-version)

Battery backup operation (L-version)

•

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