HB54R1G9F2-B75B,HB54R1G9F2-B75B pdf中文资料,HB54R1G9F2-B75B引脚图,HB54R1G9F2-B75B电路-Datasheet-电子工程世界

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HB54R1G9F2-B75B: 产品描述DDR DRAM Module, 128MX4, CMOS, GOLD CONTACTS, DIMM-184; 产品类别存储存储; 文件大小140KB，共18页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HB54R1G9F2-B75B概述

DDR DRAM Module, 128MX4, CMOS, GOLD CONTACTS, DIMM-184

HB54R1G9F2-B75B规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM,
针数	184
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM
JESD-30 代码	R-XDMA-N184
长度	133.35 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	184
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	55 °C
最低工作温度
组织	128MX4
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	43.18 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	4.8 mm

HB54R1G9F2-B75B相似产品对比

	HB54R1G9F2-B75B	HB54R1G9F2-A75B	HB54R1G9F2-10B
描述	DDR DRAM Module, 128MX4, CMOS, GOLD CONTACTS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 128MX4, CMOS, GOLD CONTACTS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 128MX4, CMOS, GOLD CONTACTS, DIMM-184
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM,	DIMM,	DIMM,
针数	184	184	184
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM	AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM	AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM
JESD-30 代码	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184
长度	133.35 mm	133.35 mm	133.35 mm
内存密度	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	4	4	4
功能数量	1	1	1
端口数量	1	1	1
端子数量	184	184	184
字数	134217728 words	134217728 words	134217728 words
字数代码	128000000	128000000	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	55 °C	55 °C	55 °C
组织	128MX4	128MX4	128MX4
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	43.18 mm	43.18 mm	43.18 mm
自我刷新	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	4.8 mm	4.8 mm	4.8 mm

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