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IS46R16320D-6BLA1

产品描述DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-60
产品类别存储    存储   
文件大小979KB,共33页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
标准  
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IS46R16320D-6BLA1在线购买

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IS46R16320D-6BLA1概述

DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-60

IS46R16320D-6BLA1规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码BGA
包装说明TBGA, BGA60,9X12,40/32
针数60
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time10 weeks
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B60
JESD-609代码e1
长度13 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装等效代码BGA60,9X12,40/32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
筛选级别AEC-Q100
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度2,4,8
最大待机电流0.025 A
最大压摆率0.37 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度8 mm
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