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AP9A111-10V3C

产品描述Cache SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32
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文件大小232KB,共8页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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AP9A111-10V3C概述

Cache SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32

AP9A111-10V3C规格参数

参数名称属性值
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间10 ns
JESD-30 代码R-PDSO-J32
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式J BEND
端子位置DUAL
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