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RJK1562DJE-00-Z0

产品描述Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小228KB,共9页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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RJK1562DJE-00-Z0概述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

RJK1562DJE-00-Z0规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码TO-92
包装说明SC-51, TO-92 MOD, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)1 A
最大漏极电流 (ID)1 A
最大漏源导通电阻1.6 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码O-PBCY-W3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.9 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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To our customers,
Old Company Name in Catalogs and Other Documents
On April 1
st
, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology
Corporation, and Renesas
Electronics Corporation
took over all the business of both
companies.
Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid
Renesas
Electronics document. We appreciate your understanding.
Renesas Electronics website:
http://www.renesas.com
April 1
st
, 2010
Renesas Electronics Corporation
Issued by:
Renesas Electronics Corporation
(http://www.renesas.com)
Send any inquiries to
http://www.renesas.com/inquiry.

RJK1562DJE-00-Z0相似产品对比

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描述 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

 
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