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GS880Z32CGT-150IT: 产品描述ZBT SRAM, 256KX32, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小217KB，共25页; 制造商GSI Technology; 官网地址http://www.gsitechnology.com/; 标准

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GS880Z32CGT-150IT概述

ZBT SRAM, 256KX32, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

GS880Z32CGT-150IT规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	GSI Technology
零件包装代码	QFP
包装说明	LQFP,
针数	100
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	7.5 ns
其他特性	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e3
长度	20 mm
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	32
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	100
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256KX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm

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GS880Z18/32/36CT-333/300/250/200/150

100-Pin TQFP

Commercial Temp

Industrial Temp

Features

• NBT (No Bus Turn Around) functionality allows zero wait

read-write-read bus utilization; Fully pin-compatible with

both pipelined and flow through NtRAM™, NoBL™ and

ZBT™ SRAMs

• 2.5 V or 3.3 V +10%/–10% core power supply

• 2.5 V or 3.3 V I/O supply

• User-configurable Pipeline and Flow Through mode

• LBO pin for Linear or Interleave Burst mode

• Pin compatible with 2M, 4M, and 18M devices

• Byte write operation (9-bit Bytes)

• 3 chip enable signals for easy depth expansion

• ZZ Pin for automatic power-down

• JEDEC-standard 100-lead TQFP package

• RoHS-compliant 100-lead TQFP package available

9Mb Pipelined and Flow Through

Synchronous NBT SRAM

333 MHz–150 MHz

2.5 V or 3.3 V V

2.5 V or 3.3 V I/O

rail for proper operation. Asynchronous inputs include the

Sleep mode enable (ZZ) and Output Enable. Output Enable can

be used to override the synchronous control of the output

drivers and turn the RAM's output drivers off at any time.

Write cycles are internally self-timed and initiated by the rising

edge of the clock input. This feature eliminates complex off-

chip write pulse generation required by asynchronous SRAMs

and simplifies input signal timing.

The GS880Z18/32/36CT may be configured by the user to

operate in Pipeline or Flow Through mode. Operating as a

pipelined synchronous device, meaning that in addition to the

rising edge triggered registers that capture input signals, the

device incorporates a rising-edge-triggered output register. For

read cycles, pipelined SRAM output data is temporarily stored

by the edge triggered output register during the access cycle

and then released to the output drivers at the next rising edge of

clock.

The GS880Z18/32/36CT is implemented with GSI's high

performance CMOS technology and is available in a JEDEC-

standard 100-pin TQFP package.

Functional Description

The GS880Z18/32/36CT is a 9Mbit Synchronous Static

SRAM. GSI's NBT SRAMs, like ZBT, NtRAM, NoBL or

other pipelined read/double late write or flow through read/

single late write SRAMs, allow utilization of all available bus

bandwidth by eliminating the need to insert deselect cycles

when the device is switched from read to write cycles.

Because it is a synchronous device, address, data inputs, and

read/ write control inputs are captured on the rising edge of the

input clock. Burst order control (LBO) must be tied to a power

Parameter Synopsis

-333

Pipeline

3-1-1-1

tCycle

Curr (x18)

Curr (x32/x36)

tCycle

Curr (x18)

Curr (x32/x36)

2.5

3.0

240

280

4.5

180

205

-300

2.5

3.3

225

260

5.0

165

190

-250

2.5

4.0

195

225

5.5

160

180

-200

3.0

5.0

170

195

6.5

140

160

-150

3.8

6.7

140

160

7.5

128

145

Unit

Flow Through

2-1-1-1

Rev: 1.03 8/2011

1/25

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

GS880Z32CGT-150IT相似产品对比

	GS880Z32CGT-150IT	GS880Z32CGT-150I
描述	ZBT SRAM, 256KX32, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	ZBT SRAM, 256KX32, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
是否无铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	GSI Technology	GSI Technology
零件包装代码	QFP	QFP
包装说明	LQFP,	LQFP,
针数	100	100
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B
最长访问时间	7.5 ns	7.5 ns
其他特性	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e3	e3
长度	20 mm	20 mm
内存密度	8388608 bit	8388608 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM	ZBT SRAM
内存宽度	32	32
湿度敏感等级	3	3
功能数量	1	1
端子数量	100	100
字数	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
组织	256KX32	256KX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	LQFP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm	14 mm

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