M312L3223EG0-CB0,M312L3223EG0-CB0 pdf中文资料,M312L3223EG0-CB0引脚图,M312L3223EG0-CB0电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> M312L3223EG0-CB0

M312L3223EG0-CB0: 产品描述DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184; 产品类别存储存储; 文件大小327KB，共20页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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M312L3223EG0-CB0概述

DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184

M312L3223EG0-CB0规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM184
针数	184
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N184
内存密度	2415919104 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	184
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32MX72
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM184
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大待机电流	0.36 A
最大压摆率	2.25 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

M312L3223EG0-CB0相似产品对比

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描述	DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
是否Rohs认证	不符合	不符合	-	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	-	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	DIMM	DIMM	-	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	-	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184
针数	184	184	-	184	184	184	184	184
Reach Compliance Code	unknown	unknow	-	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	-	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns	0.75 ns	-	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	133 MHz	-	133 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	-	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184
内存密度	2415919104 bit	9663676416 bi	-	4831838208 bit	4831838208 bit	4831838208 bit	4831838208 bit	2415919104 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	-	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72	72	-	72	72	72	72	72
湿度敏感等级	1	1	-	1	1	1	1	1
功能数量	1	1	-	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	-	1	1	1	1	1
端子数量	184	184	-	184	184	184	184	184
字数	33554432 words	134217728 words	-	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	33554432 words
字数代码	32000000	128000000	-	64000000	64000000	64000000	64000000	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	-	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32MX72	128MX72	-	64MX72	64MX72	64MX72	64MX72	32MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	-	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM184	DIMM184	-	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	-	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	-	225	225	225	225	225
电源	2.5 V	2.5 V	-	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	-	8192	8192	8192	8192	8192
自我刷新	YES	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES
最大压摆率	2.25 mA	5.88 mA	-	4.95 mA	4.95 mA	3.41 mA	3.41 mA	2.25 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	-	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	-	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	-	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO	-	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	-	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	-	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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