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HSBD375

产品描述NPN SILICON TRANSISTOR
文件大小184KB,共1页
制造商Huashan ( SHEDCL )
官网地址http://www.huashan.com.cn/
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HSBD375概述

NPN SILICON TRANSISTOR

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Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R
HSBD375
█ APPLICATIONS
Medium Power Linear switching Applications
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
a
=25℃)
T
stg
——Storage
Temperature…………………………
-55~150℃
T
j
——Junction
Temperature……………………………… 150℃ 
P
C
——Collector
Dissipation(T
c
=25℃)…………………… 25W
V
CBO
——Collector-Base
Voltage…………………………… 50V
V
CEO
——
Collector-Emitter Voltage………………………… 45V
V
EBO
——Emitter-Base
Voltage………………………………… 5V
1―
Emitter, E
2―Collector,C
3―Base,B
 
I
C
——Collector
Current Pulse)………………………………… 3A
 
C
I
——Collector
Current DC)
……………………………………
2A
Ib——Base Current………………………………………………1A
 
█ELECTRICAL
CHARACTERISTICS(T
a
=25℃)
Symbol
 
Characteristics
 
Min
 
Typ
 
Max
 
Unit
 
Test Conditions
 
I
CBO
I
EBO
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
 
 
40 
20 
 
 
45 
50 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
50 
500 
2 
375 
 
1 
1.5 
 
 
 
 
μA 
V
CB
=45V, I
E
=0
 
 
V 
V 
V 
V 
½S 
½S 
V
CE
=2V, I
C
=150mA 
V
CE
=2V, I
C
=1A 
I
C
=1A, I
B
=0.1A 
V
CE
=2V, I
C
=1A
I
C
=100mA, I
B
=0
I
C
=100μA, I
E
=0
V
CC
=30V, I
C
=0.5A
I
B1
=-I
B2
=0.05A
100  μA 
V
EB
=5V, I
C
=0
*H
FE(1)
 
DC Current Gain 
*H
FE(2)
 
DC Current Gain 
*V
CE(sat)
 
Collector- Emitter Saturation Voltage 
*V
BE(on)
V
CEO(sus)
BV
CBO
t
ON
t
OFF
Base-Emitter On Voltage
Collector-Emitter Sustaining Voltage
Collector-Base Breakdown Voltage
Turn-On Time
Turn-Off Time
* P½½½½ T½½½:PW=350μS,D½½½ C½½½½=2% P½½½½½
█h
FE(3)
Classification
Cassification
6
40~100
10
63~160
16
100~250
25
150~375
h
FE(3)
DIY显卡:软件部分活动创意征集~~~
这个活动中版主已有主要部分:nand驱动、jpeg解码、usb-storage调试,目前需要完成的工作有 1、将以上部分整合 有了vga显示器,各种好玩的东西都可以编程~~~~~版主写了画点,设置光标功能 ......
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