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HS772

产品描述PNP SILICON TRANSISTOR
文件大小164KB,共3页
制造商Huashan ( SHEDCL )
官网地址http://www.huashan.com.cn/
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HS772概述

PNP SILICON TRANSISTOR

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Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
P NP S I L I C O N T RA N S I S T O R
HS772
█ APPLICATIONS
Audio Frequency Power Amplifier , Switching Power Amplifier.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
a
=25℃)
T
stg
——Storage
Temperature…………………………
-55~150℃
T
j
——Junction
Temperature……………………………… 150℃
P
C
——Collector
Dissipation(T
c
=25℃)…………………… 10W
P
C
——Collector
Dissipation(T
A
=25℃)…………………… 1W
V
CBO
——Collector-Base
Voltage………………………… -40V
V
CEO
——Collector-Emitter
Voltage……………………… -30V
V
EBO
——Emitter-Base
Voltage…………………………… -5V
I
C
——Collector
Current(DC)……………………………-3A
Ib——Base Current
(DC)………………………………-0.6A
1―Emitter,E
2―Collector,C
3―Base,B
TO-126
Electrical Characteristics(T
a
=25℃)
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
sat
V
BE
(sat)
C
ob
Parameter
Collector-Base Cutoff Current
Emitter- Base Cutoff Current
Min
Typ
Max
Unit
μA
μA
Test Conditions
V
CB
=-30V, I
E
=0
V
EB
=-5V, I
C
=0
V
CE
=-2V, I
C
=-1A
-1
-1
60
-0.3
-1.0
55
80
400
-0.5
-2.0
DC Current Gain
Collector- Emitter Saturation Voltage
Base -Emitter
Saturation
Voltage
V
V
pF
I
C
=-2A, I
B
=-0.2A
I
C
=-2A, I
B
=-0.2A
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
V
CE
=-5V,I
E
=-0.1A
Output Capacitance
Current Gain-Bandwidth Product
f
T
MHz
h
FE
Classification
R
60—120
Q
100—200
P
160—320
E
200—400
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