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IDT7M856S75CB

产品描述SRAM Module, 32KX8, 75ns, CMOS, CDIP28
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文件大小352KB,共7页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7M856S75CB概述

SRAM Module, 32KX8, 75ns, CMOS, CDIP28

IDT7M856S75CB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间75 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度8
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流0.08 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.38 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
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