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H8550S

产品描述PNP SILICON TRANSISTOR
文件大小124KB,共2页
制造商Huashan ( SHEDCL )
官网地址http://www.huashan.com.cn/
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H8550S概述

PNP SILICON TRANSISTOR

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PNP S I L I C O N T R AN S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H8550S
APPLICATIONS
Audio Frequency Amplifier.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
a
=25℃)
T
stg
——Storage
Temperature………………………… -55~150℃
T
j
——Juncttion
Temperature…………………………………150℃
P
C
——Collector
Dissipation…………………………………625W
V
CBO
——Collector-Base
Voltage………………………………-40V
V
CEO
——Collector-Emitter
Voltage……………………………-20V
V
EBO
——Emitter-Base
Voltage………………………………-5V
I
C
——Collector
Current………………………………………-500mA
1―Emitter,E
2―Base,B
3―Collector,
C
TO-92
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T
a
=25℃)
Symbol
Characteristics
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
I
CBO
I
EBO
H
FE(2)
-0.1
-0.1
85
40
-0.6
-0.6
-40
-20
-5
-1.2
-0.73
500
μA
μA
V
CB
=-25V, I
E
=0
V
EB
=-3V, I
C
=0
V
CE
=-1V, I
C
=-50mA
V
CE
=-1V, I
C
=-500mA
H
FE(1)
DC Current Gain
V
CE(sat)
Collector- Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
V
BE(on)
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
Base- Emitter Saturation Voltage
V
V
V
V
V
V
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA
V
CE
=-1V, I
C
=-10mA
I
C
=-100μA,I
E
=0
I
C
=-2mA,I
B
=0
I
E
=100μA,I
C
=0
Base-Emitter On Voltage
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter- Base Breakdown Voltage
h
FE
Classification
B
85—160
C
120—200
D
160—300
E
270—500

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