ADC, Flash Method, 8-Bit, 1 Func, 1 Channel, Parallel, 8 Bits Access, CMOS, CQCC44, MO-047AC, CERQUAD-44
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Maxim(美信半导体) |
| 零件包装代码 | LPCC |
| 包装说明 | QCCJ, |
| 针数 | 44 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.C.1 |
| 最大模拟输入电压 | |
| 最小模拟输入电压 | -2 V |
| 转换器类型 | ADC, FLASH METHOD |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-J44 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最大线性误差 (EL) | 0.3711% |
| 标称负供电电压 | -5.2 V |
| 模拟输入通道数量 | 1 |
| 位数 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 44 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -20 °C |
| 输出位码 | BINARY, 2\'S COMPLEMENT BINARY |
| 输出格式 | PARALLEL, 8 BITS |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 采样速率 | 300 MHz |
| 采样并保持/跟踪并保持 | TRACK |
| 最大压摆率 | 550 mA |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| MAX1125BIBH-T | MAX1125AIBH-T | |
|---|---|---|
| 描述 | ADC, Flash Method, 8-Bit, 1 Func, 1 Channel, Parallel, 8 Bits Access, CMOS, CQCC44, MO-047AC, CERQUAD-44 | ADC, Flash Method, 8-Bit, 1 Func, 1 Channel, Parallel, 8 Bits Access, CMOS, CQCC44, MO-047AC, CERQUAD-44 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) |
| 零件包装代码 | LPCC | LPCC |
| 包装说明 | QCCJ, | QCCJ, |
| 针数 | 44 | 44 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.C.1 | 3A991.C.1 |
| 最小模拟输入电压 | -2 V | -2 V |
| 转换器类型 | ADC, FLASH METHOD | ADC, FLASH METHOD |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-J44 | S-CQCC-J44 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 最大线性误差 (EL) | 0.3711% | 0.293% |
| 标称负供电电压 | -5.2 V | -5.2 V |
| 模拟输入通道数量 | 1 | 1 |
| 位数 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 44 | 44 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -20 °C | -20 °C |
| 输出位码 | BINARY, 2\'S COMPLEMENT BINARY | BINARY, 2\'S COMPLEMENT BINARY |
| 输出格式 | PARALLEL, 8 BITS | PARALLEL, 8 BITS |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCJ | QCCJ |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 采样速率 | 300 MHz | 300 MHz |
| 采样并保持/跟踪并保持 | TRACK | TRACK |
| 最大压摆率 | 550 mA | 550 mA |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | OTHER | OTHER |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD |
| 端子形式 | J BEND | J BEND |
| 端子位置 | QUAD | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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