电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

MT28F002B1VG-8TTR

产品描述Flash, 256KX8, 110ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-40
产品类别存储    存储   
文件大小956KB,共27页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MT28F002B1VG-8TTR概述

Flash, 256KX8, 110ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-40

MT28F002B1VG-8TTR规格参数

参数名称属性值
厂商名称Micron Technology
零件包装代码TSOP1
包装说明10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-40
针数40
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间110 ns
其他特性USER SELECTABLE 5V OR 12V VPP
JESD-30 代码R-PDSO-G40
JESD-609代码e3
长度18.4 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量40
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
宽度10 mm

MT28F002B1VG-8TTR相似产品对比

MT28F002B1VG-8TTR MT28F002B1VG-10T MT28F002B1VG-10TTR MT28F002B1VG-6BTR MT28F002B1VG-8BTR MT28F002B1VG-6TTR MT28F002B1VG-10B MT28F002B1VG-10BTR
描述 Flash, 256KX8, 110ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-40 Flash, 256KX8, 100ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-40 Flash, 256KX8, 100ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-40 Flash, 256KX8, 90ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-40 Flash, 256KX8, 110ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-40 Flash, 256KX8, 90ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-40 Flash, 256KX8, 100ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-40 Flash, 256KX8, 100ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-40
厂商名称 Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology
零件包装代码 TSOP1 TSOP1 TSOP1 TSOP1 TSOP1 TSOP1 TSOP1 TSOP1
包装说明 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-40 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-40 TSOP1, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-40 TSOP1, TSOP1, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-40 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-40
针数 40 40 40 40 40 40 40 40
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown _compli unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 110 ns 100 ns 100 ns 90 ns 110 ns 90 ns 100 ns 100 ns
其他特性 USER SELECTABLE 5V OR 12V VPP SELECTABLE 5V OR 12V VPP SELECTABLE 5V OR 12V VPP USER SELECTABLE 5V OR 12V VPP USER SELECTABLE 5V OR 12V VPP USER SELECTABLE 5V OR 12V VPP SELECTABLE 5V OR 12V VPP SELECTABLE 5V OR 12V VPP
JESD-30 代码 R-PDSO-G40 R-PDSO-G40 R-PDSO-G40 R-PDSO-G40 R-PDSO-G40 R-PDSO-G40 R-PDSO-G40 R-PDSO-G40
JESD-609代码 e3 e0 e3 e3 e3 e3 e0 e3
长度 18.4 mm 18.4 mm 18.4 mm 18.4 mm 18.4 mm 18.4 mm 18.4 mm 18.4 mm
内存密度 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bi 2097152 bi
内存集成电路类型 FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 40 40 40 40 40 40 40 40
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP1 TSOP1 TSOP1 TSOP1 TSOP1 TSOP1 TSOP1 TSOP1
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
编程电压 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 5.5 V 5.5 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 5 V 5 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 MATTE TIN Tin/Lead (Sn/Pb) MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN Tin/Lead (Sn/Pb) MATTE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 10 mm 10 mm 10 mm 10 mm 10 mm 10 mm 10 mm 10 mm
求助 :Compact Framework中播放mp3等音频文件…
在Compact Framework中除了调用media player控件 还有其它什么播放音频文件的方法吗??...
yangrui7202 嵌入式系统
工程师应掌握的20个经典模拟电路
工程师应掌握的20个经典模拟电路:loveliness: 本帖最后由 aishuang 于 2011-7-16 12:02 编辑 ]...
aishuang 模拟电子
电子设备干扰抑制技术
摘要:对电子设备产生干扰的原因及干扰抑制方法进行分析讨论,提出了使电子设备正常工作应采取的各种抑制干扰的技术措施。 关键词:电子设备;电磁兼容;干扰 ...
zbz0529 PCB设计
探究适配器中的ID芯片
本帖最后由 wstt 于 2014-3-1 15:48 编辑 昨天关于MSP430替代适配器中ID芯片的内容引起了大家的兴趣(https://bbs.eeworld.com.cn/thread-430806-1-1.html),我也做了一点更深入的研究。从网 ......
wstt 微控制器 MCU
上拉电阻和下拉电阻的选择
上拉电阻和下拉电阻的选择应结合开关管特性和下级电路的输入特性进行设定,主要需要考虑以下几个因素:1. 驱动能力与功耗的平衡。以上拉电阻为例,一般地说,上拉电阻越小,驱动能力越强,但功 ......
eeleader 工业自动化与控制
09电赛论文格式
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:48 编辑 09电赛论文格式 ...
nandehutu586 电子竞赛

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1512  850  2288  2928  2772  46  35  14  20  28 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved