MT2D48N-6概述

Fast Page DRAM Module, 4MX8, 60ns, CMOS, SIMM-30

MT2D48N-6规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Micron Technology
零件包装代码	SIMM
包装说明	SIMM-30
针数	30
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-T30
JESD-609代码	e0
内存密度	33554432 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	30
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装等效代码	SIP30
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	2048
座面最大高度	16.383 mm
最大待机电流	0.002 A
最大压摆率	0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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MT2D48N-6相似产品对比

	MT2D48N-6	MT2D48M-8	MT2D48N-7	MT2D48N-8
描述	Fast Page DRAM Module, 4MX8, 60ns, CMOS, SIMM-30	Fast Page DRAM Module, 4MX8, 80ns, CMOS, SIMM-30	Fast Page DRAM Module, 4MX8, 70ns, CMOS, SIMM-30	Fast Page DRAM Module, 4MX8, 80ns, CMOS, SIMM-30
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology
零件包装代码	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM
包装说明	SIMM-30	SIMM-30	SIMM-30	SIMM-30
针数	30	30	30	30
Reach Compliance Code	unknown	unknown	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE
最长访问时间	60 ns	80 ns	70 ns	80 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-T30	R-XSMA-N30	R-XSMA-T30	R-XSMA-T30
内存密度	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	30	30	30	30
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4MX8	4MX8	4MX8	4MX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装等效代码	SIP30	SIM30	SIP30	SIP30
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	225	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	2048	2048	2048	2048
座面最大高度	16.383 mm	15.494 mm	16.383 mm	16.383 mm
最大待机电流	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A
最大压摆率	0.24 mA	0.18 mA	0.2 mA	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	NO LEAD	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
JESD-609代码	e0	-	e0	e0
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)

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