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HY5V26CF-HI

产品描述Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54
产品类别存储    存储   
文件大小106KB，共14页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY5V26CF-HI概述

Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54

HY5V26CF-HI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明FBGA, BGA54,9X9,32
针数54
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B54
长度10.5 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA54,9X9,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.07 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.22 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8.3 mm

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HY5V26C(L/S)F-I Series
4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM
DESCRIPTION
The Hynix HY5V26C(L/S)F is a 134,217,728bit CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the Mobile applications which require
low power consumption and industrial temperature range. HY5V26C(L/S)F is organized as 4banks of 2,097,152x16
HY5V26C(L/S)F is offering fully synchronous operation referenced to a positive edge of the clock. All inputs and outputs are synchro-
nized with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve very high bandwidth. All input and output
voltage levels are compatible with LVTTL.
Programmable options include the length of pipeline (Read latency of 2 or 3), the number of consecutive read or write cycles initiated
by a single control command (Burst length of 1,2,4,8, or full page), and the burst count sequence(sequential or interleave). A burst of
read or write cycles in progress can be terminated by a burst terminate command or can be interrupted and replaced by a new burst
read or write command on any cycle. (This pipelined design is not restricted by a `2N` rule.)
FEATURES
•
•
•
•
Single 3.3±0.3V power supply
All device balls are compatible with LVTTL interface
54Ball FBGA (10.5mm x 8.3mm)
All inputs and outputs referenced to positive edge of
system clock
Data mask function by UDQM or LDQM
•
•
Internal four banks operation
Programmable CAS Latency ; 2, 3 Clocks
•
•
•
Auto refresh and self refresh
4096 refresh cycles / 64ms
Programmable Burst Length and Burst Type
- 1, 2, 4, 8 or Full page for Sequential Burst
- 1, 2, 4 or 8 for Interleave Burst
•
ORDERING INFORMATION
Part No.
HY5V26CF-6I
HY5V26CF-KI
HY5V26CF-HI
HY5V26CF-8I
HY5V26CF-PI
HY5V26CF-SI
HY5V26CL(S)F-6I
HY5V26CL(S)F-KI
HY5V26CL(S)F-HI
HY5V26CL(S)F-8I
HY5V26CL(S)F-PI
HY5V26CL(S)F-SI
Clock Frequency
166MHz
133MHz
133MHz
Power
Organization
Interface
Package
Normal
125MHz
100MHz
100MHz
166MHz
133MHz
133MHz
Low power
125MHz
100MHz
100MHz
4Banks x 2Mbits
x16
LVTTL
54ball FBGA
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for use of circuits de-
scribed. No patent licenses are implied.
Rev. 0.9/Oct. 01

HY5V26CF-HI相似产品对比

HY5V26CF-HI HY5V26CF-KI HY5V26CF-8I HY5V26CF-SI HY5V26CF-PI HY5V26CF-6I
描述 Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54 Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54 Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54 Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54 Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54 Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 FBGA, BGA54,9X9,32 FBGA, BGA54,9X9,32 FBGA, BGA54,9X9,32 FBGA, BGA54,9X9,32 FBGA, BGA54,9X9,32 FBGA, BGA54,9X9,32
针数 54 54 54 54 54 54
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 5.4 ns 5.4 ns 6 ns 6 ns 6 ns 5.4 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz 133 MHz 125 MHz 100 MHz 100 MHz 166 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8
JESD-30 代码 R-PBGA-B54 R-PBGA-B54 R-PBGA-B54 R-PBGA-B54 R-PBGA-B54 R-PBGA-B54
长度 10.5 mm 10.5 mm 10.5 mm 10.5 mm 10.5 mm 10.5 mm
内存密度 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bi
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 16 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 54 54 54 54 54 54
字数 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 8MX16 8MX16 8MX16 8MX16 8MX16 8MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 FBGA FBGA FBGA FBGA FBGA FBGA
封装等效代码 BGA54,9X9,32 BGA54,9X9,32 BGA54,9X9,32 BGA54,9X9,32 BGA54,9X9,32 BGA54,9X9,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096 4096 4096
座面最大高度 1.07 mm 1.07 mm 1.07 mm 1.07 mm 1.07 mm 1.07 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
连续突发长度 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.22 mA 0.22 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.24 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 8.3 mm 8.3 mm 8.3 mm 8.3 mm 8.3 mm 8.3 mm

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