HY5V56BSF-8,HY5V56BSF-8 pdf中文资料,HY5V56BSF-8引脚图,HY5V56BSF-8电路-Datasheet-电子工程世界

HY5V56BSF-8: 产品描述Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54; 产品类别存储存储; 文件大小290KB，共13页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HY5V56BSF-8概述

Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54

HY5V56BSF-8规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA,
针数	54
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B54
长度	13.5 mm
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	54
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.07 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	8 mm

HY5V56BSF-8相似产品对比

	HY5V56BSF-8	HY5V56BSF-P	HY5V56BSF-H	HY5V56BSF-S
描述	Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54
是否无铅	含铅	不含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	符合	不符合	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,
针数	54	54	54	54
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns	6 ns	5.4 ns	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54
长度	13.5 mm	13.5 mm	13.5 mm	13.5 mm
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	54	54	54	54
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	16MX16	16MX16	16MX16	16MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.07 mm	1.07 mm	1.07 mm	1.07 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	20	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm

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