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TMBYV10-30FILM

产品描述1A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小88KB,共4页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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TMBYV10-30FILM概述

1A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE

TMBYV10-30FILM规格参数

参数名称属性值
厂商名称ST(意法半导体)
包装说明O-LELF-R2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.85 V
JESD-30 代码O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流500 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式WRAP AROUND
端子位置END

TMBYV10-30FILM相似产品对比

TMBYV10-30FILM TMBYV10-20FILM
描述 1A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE 1A, 20V, SILICON, SIGNAL DIODE
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体)
包装说明 O-LELF-R2 O-LELF-R2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.85 V 0.85 V
JESD-30 代码 O-LELF-R2 O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流 50 A 50 A
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
最大输出电流 1 A 1 A
封装主体材料 GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 30 V 20 V
最大反向电流 500 µA 500 µA
表面贴装 YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 WRAP AROUND WRAP AROUND
端子位置 END END
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