1A, 20V, SILICON, SIGNAL DIODE
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 包装说明 | O-LELF-R2 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.75 V |
| JESD-30 代码 | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 50 A |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 最大输出电流 | 1 A |
| 封装主体材料 | GLASS |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 20 V |
| 最大反向电流 | 300 µA |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | SCHOTTKY |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | WRAP AROUND |
| 端子位置 | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| TMBYV10-20A | TMMBAT29 | TMBYV10-20 | TMBYV10-30 | 86100D-GPI | TMMBAR11 | TMMBAT19 | TMM5711 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 1A, 20V, SILICON, SIGNAL DIODE | SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE | 1A, 20V, SILICON, SIGNAL DIODE | 1A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE | Wide-Bandwidth Oscilloscope Mainframe and Modules | SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE | SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE | SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE, GLASS, MINIMELF-2 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 | 符合 | 符合 | - | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | - | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| 包装说明 | O-LELF-R2 | O-LELF-R2 | O-LELF-R2 | O-LELF-R2 | - | O-LELF-R2 | O-LELF-R2 | O-LELF-R2 |
| Reach Compliance Code | compliant | unknown | compliant | compliant | - | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED | - | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | - | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | - | SILICON | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | MIXER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | - | MIXER DIODE | MIXER DIODE | MIXER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.75 V | 0.55 V | 0.85 V | 0.85 V | - | 0.41 V | 1 V | 0.41 V |
| JESD-30 代码 | O-LELF-R2 | O-LELF-R2 | O-LELF-R2 | O-LELF-R2 | - | O-LELF-R2 | O-LELF-R2 | O-LELF-R2 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 50 A | 0.06 A | 50 A | 50 A | - | 0.1 A | - | - |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | - | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 | 2 | 2 | - | 2 | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | - | 200 °C | 125 °C | 200 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C | -65 °C | -65 °C | -65 °C | - | -65 °C | -65 °C | -65 °C |
| 最大输出电流 | 1 A | 30 A | 1 A | 1 A | - | 0.02 A | 30 A | 0.015 A |
| 封装主体材料 | GLASS | GLASS | GLASS | GLASS | - | GLASS | GLASS | GLASS |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND | - | ROUND | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM | - | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 20 V | 5 V | 20 V | 30 V | - | 15 V | 5 V | 70 V |
| 最大反向电流 | 300 µA | 0.05 µA | 500 µA | 500 µA | - | - | 0.1 µA | - |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES | - | YES | YES | YES |
| 技术 | SCHOTTKY | SCHOTTKY | SCHOTTKY | SCHOTTKY | - | SCHOTTKY | SCHOTTKY | SCHOTTKY |
| 端子形式 | WRAP AROUND | WRAP AROUND | WRAP AROUND | WRAP AROUND | - | WRAP AROUND | WRAP AROUND | WRAP AROUND |
| 端子位置 | END | END | END | END | - | END | END | END |
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