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BUZ906D

产品描述16A, 200V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小40KB,共4页
制造商SEMELAB
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BUZ906D概述

16A, 200V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3

BUZ906D规格参数

参数名称属性值
厂商名称SEMELAB
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)16 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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MAGNA
TEC
25.0
+0.1
-0.15
BUZ905D
BUZ906D
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
P–CHANNEL
POWER MOSFET
8.7 Max.
1.50
Typ.
11.60
± 0.3
10.90 ± 0.1
POWER MOSFETS FOR
AUDIO APPLICATIONS
30.2 ± 0.15
Ø 20 M ax.
39.0 ± 1.1
16.9 ± 0.15
1
2
Ø 1.0
FEATURES
• HIGH SPEED SWITCHING
• P–CHANNEL POWER MOSFET
• SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED
• HIGH VOLTAGE (160V & 200V)
R 4.0 ± 0.1
R 4.4 ± 0.2
• HIGH ENERGY RATING
• ENHANCEMENT MODE
• INTEGRAL PROTECTION DIODE
Case – Source
• N–CHANNEL ALSO AVAILABLE AS
BUZ900D & BUZ901D
• DOUBLE DIE PACKAGE FOR MAXIMUM
POWER AND HEATSINK SPACE
TO–3
Pin 1 – Gate
Pin 2 – Drain
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
V
DSX
Drain – Source Voltage
V
GSS
I
D
I
D(PK)
P
D
T
stg
T
j
R
θJC
Gate – Source Voltage
Continuous Drain Current
Body Drain Diode
Total Power Dissipation
Storage Temperature Range
Maximum Operating Junction Temperature
Thermal Resistance Junction – Case
@ T
case
= 25°C
BUZ905D
-160V
±14V
-16A
-16A
250W
–55 to 150°C
150°C
0.5°C/W
BUZ906D
-200V
Magnatec.
Telephone (01455) 554711. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 10/94

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BUZ906D BUZ905D
描述 16A, 200V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 16A, 160V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 200 V 160 V
最大漏极电流 (ID) 16 A 16 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-3 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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