Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BUZ901X4S

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BUZ901X4S: 产品描述32A, 200V, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-227, 4 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小33KB，共2页; 制造商SEMELAB

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BUZ901X4S概述

32A, 200V, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-227, 4 PIN

BUZ901X4S规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SEMELAB
零件包装代码	SOT-227
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PUFM-D4
针数	4
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
配置	COMPLEX
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (ID)	32 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PUFM-D4
元件数量	4
端子数量	4
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	SOLDER LUG
端子位置	UPPER
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON

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MAGNA

TEC

3 1 .5 (1 .2 4 0 )

3 1 .7 (1 .2 4 8 )

7 .8 (0 .3 0 7 )

8 .2 (0 .3 2 2 )

1 1 .8 (0 .4 6 3 )

1 2 .2 (0 .4 8 0 )

W = 4 .1 (0 .1 6 1 )

4 .3 (0 .1 6 9 )

4 .8 (0 .1 8 7 )

4 .9 (0 .1 9 3 )

(4 places)

8 .9 (0 .3 5 0 )

9 .6 (0 .3 7 8 )

BUZ900X4S

BUZ901X4S

NEW PRODUCT UNDER DEVELOPMENT

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

N–CHANNEL

POWER MOSFET

Hex Nut M 4

(4 places)

POWER MOSFETS FOR

AUDIO APPLICATIONS

2 5 .2 (0 .9 9 2 )

2 5 .4 (1 .0 0 0 )

4 .0 (0 .1 5 7 )

4 .2 (0 .1 6 5 )

0 .7 5 (0 .0 3 0 )

0 .8 5 (0 .0 3 3 )

1 2 .6 (0 .4 9 6 )

1 2 .8 (0 .5 0 4 )

FEATURES

• HIGH SPEED SWITCHING

3.3 (0 .1 2 9)

3.6 (0.14 3 )

1 4 .9 (0.58 7 )

1 5 .1 (0.59 4 )

3 0 .1 (1 .1 8 5 )

3 0 .3 (1 .1 9 3 )

3 8 .0 (1.4 9 6 )

3 8 .2 (1.5 0 4 )

5 .1 (0 .2 0 1 )

5 .9 (0 .2 3 2 )

1 .9 5 (0 .0 7 7 )

2 .1 4 (0 .0 8 4 )

R =

4 .0 (0 .1 57 )

(2 P lac e s)

• N–CHANNEL POWER MOSFET

• SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED

• HIGH VOLTAGE (160V & 200V)

• HIGH ENERGY RATING

SOT227

Pin 1 – Drain

Pin 2 – Source

Pin 3 – Gate

Pin 4 – Drain

• ENHANCEMENT MODE

• INTEGRAL PROTECTION DIODE

• P–CHANNEL ALSO AVAILABLE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

case

= 25°C unless otherwise stated)

DSX

Drain – Source Voltage

D(PK)

stg

θJC

Gate – Source Voltage

Continuous Drain Current

Body Drain Diode

Total Power Dissipation

Storage Temperature Range

Maximum Operating Junction Temperature

Thermal Resistance Junction – Case

@ T

case

= 25°C

BUZ900X4S

160V

BUZ901X4S

200V

±14V

32A

500W

–55 to 150°C

150°C

0.3°C/W

Magnatec.

Telephone (0455) 554711. Telex: 341927. Fax (0455) 552612.

Prelim. 4/94

BUZ901X4S相似产品对比

	BUZ901X4S	BUZ900X4S
描述	32A, 200V, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-227, 4 PIN	32A, 160V, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
厂商名称	SEMELAB	SEMELAB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PUFM-D4	FLANGE MOUNT, R-PUFM-D4
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
配置	COMPLEX	COMPLEX
最小漏源击穿电压	200 V	160 V
最大漏极电流 (ID)	32 A	32 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PUFM-D4	R-PUFM-D4
元件数量	4	4
端子数量	4	4
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子形式	SOLDER LUG	SOLDER LUG
端子位置	UPPER	UPPER
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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