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S-201001DR-200

产品描述MASK ROM, 128KX8, 200ns, CMOS, PDIP32, DIP-32
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文件大小253KB,共6页
制造商ABLIC
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S-201001DR-200概述

MASK ROM, 128KX8, 200ns, CMOS, PDIP32, DIP-32

S-201001DR-200规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ABLIC
包装说明DIP, DIP32,.6
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间200 ns
其他特性LG-MAX; SEATED HGT-CALCULATED
JESD-30 代码R-PDIP-T32
JESD-609代码e0
长度42.5 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型MASK ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.51 mm
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度15.24 mm

S-201001DR-200相似产品对比

S-201001DR-200 S-201001CR-200 S-201001CRC-200 S-201001DRC-200
描述 MASK ROM, 128KX8, 200ns, CMOS, PDIP32, DIP-32 MASK ROM, 128KX8, 200ns, CMOS, PDIP32, DIP-32 MASK ROM, 128KX8, 200ns, CMOS MASK ROM, 128KX8, 200ns, CMOS
厂商名称 ABLIC ABLIC ABLIC ABLIC
包装说明 DIP, DIP32,.6 DIP, DIP32,.6 , DIE OR CHIP , DIE OR CHIP
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
最长访问时间 200 ns 200 ns 200 ns 200 ns
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM
内存宽度 8 8 8 8
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8
封装等效代码 DIP32,.6 DIP32,.6 DIE OR CHIP DIE OR CHIP
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A
最大压摆率 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL

 
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