NAND02GW3B2AZB1T,NAND02GW3B2AZB1T pdf中文资料,NAND02GW3B2AZB1T引脚图,NAND02GW3B2AZB1T电路-Datasheet-电子工程世界

NAND02GW3B2AZB1T: 产品描述256MX8 FLASH 3V PROM, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63; 产品类别存储存储; 文件大小887KB，共57页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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NAND02GW3B2AZB1T概述

256MX8 FLASH 3V PROM, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA63,10X12,32
针数	63
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	35 ns
命令用户界面	YES
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PBGA-B63
JESD-609代码	e0
长度	12 mm
内存密度	2147483648 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
部门数/规模	2K
端子数量	63
字数	268435456 words
字数代码	256000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA63,10X12,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小	2K words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3/3.3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	1.2 mm
部门规模	128K
最大待机电流	0.00005 A
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	NO
宽度	9.5 mm

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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