HYB18T2G402C2F-25F,HYB18T2G402C2F-25F pdf中文资料,HYB18T2G402C2F-25F引脚图,HYB18T2G402C2F-25F电路-Datasheet-电子工程世界

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HYB18T2G402C2F-25F: 产品描述DDR DRAM, 512MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA63, GREEN, PLASTIC, TFBGA-63; 产品类别存储存储; 文件大小3MB，共56页; 制造商QIMONDA; 标准

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HYB18T2G402C2F-25F概述

DDR DRAM, 512MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA63, GREEN, PLASTIC, TFBGA-63

HYB18T2G402C2F-25F规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	QIMONDA
零件包装代码	BGA
包装说明	LFBGA, BGA63,9X11,32
针数	63
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	400 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B63
长度	12.5 mm
内存密度	2147483648 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	63
字数	536870912 words
字数代码	512000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	512MX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装等效代码	BGA63,9X11,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.3 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	4,8
最大待机电流	0.026 A
最大压摆率	0.31 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	8.5 mm

HYB18T2G402C2F-25F相似产品对比

	HYB18T2G402C2F-25F	HYB18T2G402C2F-3.7	HYB18T2G402C2F-3S	HYB18T2G802C2F-3.7	HYB18T2G402C2F-2.5	HYB18T2G802C2F-3S	HYB18T2G802C2F-25F	HYB18T2G802C2F-2.5
描述	DDR DRAM, 512MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA63, GREEN, PLASTIC, TFBGA-63	DDR DRAM, 512MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA63, GREEN, PLASTIC, TFBGA-63	DDR DRAM, 512MX4, 0.65ns, CMOS, PBGA63, GREEN, PLASTIC, TFBGA-63	DDR DRAM, 256MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA63, GREEN, PLASTIC, TFBGA-63	DDR DRAM, 512MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA63, GREEN, PLASTIC, TFBGA-63	DDR DRAM, 256MX8, 0.65ns, CMOS, PBGA63, GREEN, PLASTIC, TFBGA-63	DDR DRAM, 256MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA63, GREEN, PLASTIC, TFBGA-63	DDR DRAM, 256MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA63, GREEN, PLASTIC, TFBGA-63
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	LFBGA, BGA63,9X11,32	LFBGA, BGA63,9X11,32	LFBGA, BGA63,9X11,32	LFBGA, BGA63,9X11,32	LFBGA, BGA63,9X11,32	LFBGA, BGA63,9X11,32	LFBGA, BGA63,9X11,32	LFBGA, BGA63,9X11,32
针数	63	63	63	63	63	63	63	63
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.6 ns	0.7 ns	0.65 ns	0.7 ns	0.6 ns	0.65 ns	0.6 ns	0.6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	400 MHz	266 MHz	333 MHz	266 MHz	400 MHz	333 MHz	400 MHz	400 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B63	R-PBGA-B63	R-PBGA-B63	R-PBGA-B63	R-PBGA-B63	R-PBGA-B63	R-PBGA-B63	R-PBGA-B63
长度	12.5 mm	12.5 mm	12.5 mm	12.5 mm	12.5 mm	12.5 mm	12.5 mm	12.5 mm
内存密度	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	4	4	4	8	4	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	63	63	63	63	63	63	63	63
字数	536870912 words	536870912 words	536870912 words	268435456 words	536870912 words	268435456 words	268435456 words	268435456 words
字数代码	512000000	512000000	512000000	256000000	512000000	256000000	256000000	256000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
组织	512MX4	512MX4	512MX4	256MX8	512MX4	256MX8	256MX8	256MX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA
封装等效代码	BGA63,9X11,32	BGA63,9X11,32	BGA63,9X11,32	BGA63,9X11,32	BGA63,9X11,32	BGA63,9X11,32	BGA63,9X11,32	BGA63,9X11,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192
座面最大高度	1.3 mm	1.3 mm	1.3 mm	1.3 mm	1.3 mm	1.3 mm	1.3 mm	1.3 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8
最大待机电流	0.026 A	0.026 A	0.026 A	0.026 A	0.026 A	0.026 A	0.026 A	0.026 A
最大压摆率	0.31 mA	0.278 mA	0.294 mA	0.278 mA	0.31 mA	0.294 mA	0.31 mA	0.31 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	8.5 mm	8.5 mm	8.5 mm	8.5 mm	8.5 mm	8.5 mm	8.5 mm	8.5 mm
厂商名称	QIMONDA	-	QIMONDA	QIMONDA	QIMONDA	QIMONDA	QIMONDA	QIMONDA

HYB18T2G402C2F-25F

HYB18T2G402C2F-25F概述

HYB18T2G402C2F-25F规格参数

HYB18T2G402C2F-25F相似产品对比

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