2007-04-02
Silicon NPN Phototransistor
NPN-Silizium-Fototransistor
Discontinued
SFH 309 P, SFH 309 PFA
SFH 309 P
SFH 309 PFA
•
Spectral range of sensitivity:
380 nm ...
1180 nm (SFH 309 P), 880 nm ... 1120 nm
(SFH 309 PFA)
•
Package:
3mm Radial (T 1), Epoxy
•
Special:
High linearity
• Available in groups
Features:
•
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
380 nm ... 1180 nm (SFH 309 P), 880 nm ...
1120 nm (SFH 309 PFA)
•
Gehäuse:
3mm Radial (T 1), Harz
•
Besonderheit:
Hohe Linearität
• Gruppiert lieferbar
Besondere Merkmale:
Applications
• Photointerrupters
• Industrial electronics
• For control and drive circuits
Anwendungen
• Lichtschranken
• Industrieelektronik
• Messen / Steuern / Regeln
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
Photocurrent
Fotostrom
λ
= 950 nm, E
e
= 0.5 mW/cm
2
, V
CE
= 5 V
I
PCE
[µA]
SFH 309 P
SFH 309 PFA
≥
63
≥
63
Q62702P0245
Q62702P0246
Ordering Code
Bestellnummer
2007-04-02
1
Discontinued
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Collector-emitter voltage
Kollektor-Emitter-Spannung
Collector current
Kollektorstrom
Collector surge current
Kollektorspitzenstrom
(τ < 10 µs)
Total power dissipation
Verlustleistung
Thermal resistance
Wärmewiderstand
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Symbol
Symbol
T
op
; T
stg
V
CE
I
C
I
CS
SFH 309 P, SFH 309 PFA
Values
Werte
SFH 309 P
SFH 309 PFA
-40 ... 100
35
15
75
Unit
Einheit
°C
V
mA
mA
P
tot
R
thJA
165
450
mW
K/W
Symbol
Symbol
Values
Werte
SFH
309 P
SFH
309
PFA
900
730 ...
1120
Unit
Einheit
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Dimensions of chip area
Abmessung der Chipfläche
Half angle
Halbwinkel
Capacitance
Kapazität
(V
CE
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
λ
S max
λ
10%
A
LxW
ϕ
C
CE
860
380 ...
1180
nm
nm
mm
2
mm x
mm
°
pF
0.038
0.45 x 0.45
± 75
5
2007-04-02
2
Discontinued
Parameter
Bezeichnung
SFH 309 P, SFH 309 PFA
Symbol
Symbol
Values
Werte
SFH
309 P
SFH
309
PFA
µA
Unit
Einheit
Photocurrent
Fotostrom
(λ = 950 nm, E
e
= 0.5 mW/cm
2
, V
CE
= 5 V)
Photocurrent
Fotostrom
(E
V
= 1000 lx, Std. Light A, V
CE
= 5 V)
Dark current
Dunkelstrom
(V
CE
= 20 V, E = 0)
Rise and fall time
Anstiegs- und Abfallzeit
(I
C
= 1 mA, V
CC
= 5 V, R
L
= 1 kΩ)
Collector-emitter saturation voltage
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
(I
C
= 20
μA,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
)
I
PCE
≥
63
I
PCE
420
µA
I
CE0
1 (≤ 50)
nA
t
r
, t
f
6
µs
V
CEsat
150
mV
2007-04-02
3
Discontinued
Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
SFH 309 P
S
rel
= f(λ)
100
S
rel
%
80
OHF01121
SFH 309 P, SFH 309 PFA
Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
SFH 309 PFA
S
rel
= f(λ)
60
40
20
0
400
600
800
1000 nm 1200
λ
Photocurrent
Fotostrom
I
PCE
= f(E
e
),
V
CE
= 5 V
Collector Current
Kollektorstrom
I
C
= f(V
CE
), I
B
= Parameter
10
0
mA
OHF01529
Ι
PCE
mW
1
2
cm
0.5
mW
cm
2
mW
cm
2
0.25
10
-1
0.1
mW
cm
2
10
-2
0
5
10
15
20
25
30 V 35
V
CE
2007-04-02
4
Discontinued
Photocurrent
Fotostrom
I
PCE
/ I
PCE
(25°C)= f(T
A
), V
CE
= 5 V
Ι
PCE
Ι
PCE 25
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-25
OHF01524
SFH 309 P, SFH 309 PFA
Dark Current
Dunkelstrom
I
CEO
= f(V
CE
), E = 0
10
1
nA
OHF01527
Ι
CEO
10
0
10
-1
10
-2
0
25
50
75 C 100
T
A
10
-3
0
5
10
15
20
25
30 V 35
V
CE
Dark Current
Dunkelstrom
I
CE0
= f(T
A
),
E
= 0, V
CE
= 20 V
10
3
nA
OHF01530
Collector-Emitter Capacitance
Kollektor-Emitter Kapazität
C
CE
= f(V
CE
), f = 1 MHz, E = 0
5.0
C
CE
pF
4.0
3.5
3.0
OHF01528
Ι
CEO
10
2
10
1
2.5
2.0
1.5
10
0
1.0
0.5
10
-1
-25
0
25
50
75 ˚C 100
T
A
0
10
-2
10
-1
10
0
10
1
V 10
2
V
CE
2007-04-02
5
京公网安备 11010802033920号
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