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SMBJ20: 产品描述Surface Mount TVS Diode; Direction: Unidirectional; V(BR) Typ (V): 22.2V; PPK Max (W): 600W; Condition: 10×1000us; VRWM Max (V): 20V; VBR Min (V): 22.2V; VBR Max (V): 24.5V; IR Max (uA): 5uA; VC Max (V): 35.8V; Package: SMB; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小832KB，共7页; 制造商Galaxy Microelectronics; 标准

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SMBJ20概述

Surface Mount TVS Diode; Direction: Unidirectional; V(BR) Typ (V): 22.2V; PPK Max (W): 600W; Condition: 10×1000us; VRWM Max (V): 20V; VBR Min (V): 22.2V; VBR Max (V): 24.5V; IR Max (uA): 5uA; VC Max (V): 35.8V; Package: SMB

SMBJ20规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Galaxy Microelectronics
零件包装代码	SMB
包装说明	R-PDSO-J2
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN, UL RECOGNIZED
最大击穿电压	27.1 V
最小击穿电压	22.2 V
击穿电压标称值	24.65 V
最大钳位电压	35.8 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AA
JESD-30 代码	R-PDSO-J2
最大非重复峰值反向功率耗散	600 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性	UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压	20 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子形式	J BEND
端子位置	DUAL
类别
Condition	10×1000us
PPK (W)	600
VRWM (V) max.	20
VBR (V) min.	22.2
VBR (V) max.	27.1
IR (uA) max.	1
VC (V) max.	35.8
Condition1_IPP (A)	16.8
最高工作温度	150
最低工作温度	-55
是否无铅	Yes
符合Reach	Yes
符合RoHS	Yes
ECCN代码	EAR99
Package Outlines	SMB

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