Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYS64D128021EBDL-6-B

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HYS64D128021EBDL-6-B: 产品描述DDR DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, PDMA200, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200; 产品类别存储存储; 文件大小782KB，共28页; 制造商QIMONDA; 标准

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HYS64D128021EBDL-6-B概述

DDR DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, PDMA200, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

HYS64D128021EBDL-6-B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	QIMONDA
零件包装代码	MODULE
包装说明	DIMM, DIMM200,24
针数	200
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDMA-N200
JESD-609代码	e3
内存密度	8589934592 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	200
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM200,24
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大待机电流	0.06 A
最大压摆率	2.56 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.6 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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Data Sheet, Rev. 1.0, Jul. 2004

HYS64D128021[G/H/E]BDL–5–B

HYS64D128021[G/H/E]BDL–6–B

200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules

SO-DIMM

DDR SDRAM

Memory Products

N e v e r

s t o p

t h i n k i n g .

HYS64D128021EBDL-6-B相似产品对比

	HYS64D128021EBDL-6-B	HYS64D128021HBDL-6-B	HYS64D128021EBDL-5-B	HYS64D128021HBDL-5-B
描述	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, PDMA200, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, PDMA200, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.5ns, CMOS, PDMA200, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.5ns, CMOS, PDMA200, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE
包装说明	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24
针数	200	200	200	200
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns	0.7 ns	0.5 ns	0.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz	166 MHz	200 MHz	200 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDMA-N200	R-PDMA-N200	R-PDMA-N200	R-PDMA-N200
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3
内存密度	8589934592 bit	8589934592 bit	8589934592 bit	8589934592 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	200	200	200	200
字数	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words
字数代码	128000000	128000000	128000000	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	128MX64	128MX64	128MX64	128MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM200,24	DIMM200,24	DIMM200,24	DIMM200,24
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	2.5 V	2.5 V	2.6 V	2.6 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192
自我刷新	YES	YES	YES	YES
最大待机电流	0.06 A	0.06 A	0.06 A	0.06 A
最大压摆率	2.56 mA	2.56 mA	2.86 mA	2.86 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.5 V	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.6 V	2.6 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
厂商名称	QIMONDA	-	QIMONDA	QIMONDA

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