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HM514100CZ-7

产品描述Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PZIP20, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20
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文件大小282KB,共28页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM514100CZ-7概述

Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PZIP20, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20

HM514100CZ-7规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码ZIP
包装说明ZIP, ZIP20,.1
针数20
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间70 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PZIP-T20
JESD-609代码e0
长度25.61 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码ZIP
封装等效代码ZIP20,.1
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度10.16 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距1.27 mm
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度2.85 mm

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HM514100C Series
4,194,304-word
×
1-bit Dynamic Random Access Memory
Description
The Hitachi HM514100C is a CMOS dynamic RAM organized 4,194,304 word
×
1-bit. HM514100C has
realized higher density, higher performance and various functions by employing 0.8
µm
CMOS process
technology and some new CMOS circuit design technologies. The HM514100C offers Fast Page Mode
as a high speed access mode. Multiplexed address input permits the HM514100C to be packaged in standard
300-mil 26-pin plastic SOJ, standard 400-mil 20-pin plastic ZIP and 26-pin plastic TSOP II.
Features
Single 5 V (±10%)
High speed
Access time : 60 ns/70 ns/80 ns (max)
Low power dissipation
Active mode : 605 mW/550 mW/495 mW (max)
Standby mode : 11 mW (max)
0.55 mW (max) (L-version)
Fast page mode capability
1024 refresh cycles : 16 ms
: 128 ms (L-version)
3 variations of refresh
RAS-only
refresh
CAS-before-RAS
refresh
Hidden refresh
Test function
Battery backup operation (L-version)
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